当前位置：首页> 半岛平台官网入口网址> > CVD系统> 复合氧化物氢分离膜制备用CVD设备

复合氧化物氢分离膜制备用CVD设备

简要描述：复合氧化物氢分离膜制备用CVD设备，可以实现在多孔氧化铝陶瓷管和陶瓷片上化学沉积上氧化物（SiO2、Al2O3、TiO2、ZrO2）和复合氧化物（Al2O3-SiO2、SiO2-TiO2、SiO2- ZrO2）氢分离膜。

产品咨询联系我们

产品分类

Product Category

查看全部

详细介绍

品牌	其他品牌	产地类别	进口
应用领域	电子,综合

主要特点

复合氧化物氢分离膜制备用CVD设备，可以实现在多孔氧化铝陶瓷管和陶瓷片上化学沉积上氧化物(SiO2、Al2O3、TiO2、ZrO2)和复合氧化物(Al2O3-SiO2、SiO2-TiO2、SiO2- ZrO2)氢分离膜。

　　设备复合氧化物氢分离膜制备用CVD设备结构

　　1) 主体加热为三段加热系统，最高使用温度为1000℃;

　　2) 3个液态源加热蒸发鼓泡器，最高温度300℃，独立控温。

　　3) 3路进气系统，分别为氮气、氩气和氢气，皆可直接进入混气室载进入真空腔体，且流量分别可控，流量计控制精度为±1.5%F.S。另外氮气作为吹扫气，分别通过流量计并列进入三个液态源后再进入混气室，三路均配有单独阀门控制。

　　4) 陶瓷盲管长620mm，外径12mm，内径9mm。距离开口端250mm至350mm处，为孔径0.2μm的沉积段，其余管外壁已釉封;

　　5) 陶瓷管开端在石英管一侧固定并进行陶瓷管的内外密封(见示意图1)。需要固定时间间隔，从陶瓷管内进行抽气，满足透出载气的气袋收集和流量检测两种功能，并实现两种功能间的切换。

　　6) 陶瓷片样品直径30mm，厚度3mm。3个样品台，每个样品台上可同时放置3片陶瓷片样品。

　　7) 设备空间尽量小。

　　8) 后端真空连接系统.

　　技术参数

炉体架构	上下开启式
额定功率	7KW
额定电压	AC 208-240V Single Phase，50/60 Hz
最高温度	1000°C
持续工作温度	≤900°C
推荐升温速率	0-20 ℃/min
炉管材质	310S钢管
炉管尺寸	异形钢管Φ80*1200mm+Φ25mm
保温装置	炉管两端配有保温水冷法兰装置，便于取放
加热区长度加热区长度	200+200+200mm
恒温区长度	400mm
控温方式	模糊PID控制和自整定调节，智能化30段可编程控制，具有超温和断偶报警功能
控温精度	±1℃
加热元件	电阻丝
炉膛材质	氧化铝纤维

产品咨询