1、气体先经过气体预热炉预热后进入流化床反应腔体，可以降低大量冷气流进入腔体对工艺的影响。 2、反应器出口配有搅动装置， 防止碳管在反应器出口堵塞。 3、进液口附近配有测温热电偶， 可以控制进液口的温度。 4、进液口活动式， 可以根据工艺需要的温度调整上下位置。 5、收集器排气口安装可转动式滤网，方式滤网堵塞。

BTF-1200C-3VT-D100是一台实验级立式碳纳米管制备设备。设备加装石英管和石英内管（带砂芯）各一支、三温区加热炉一台、收集罐及配套的密封上下横向法兰等。

CVD系统是借助于辉光放电等方法产生等离子体，辉光放电等离子体中：电子密度高109-1012cm3电子气体温度比普通气体分子温度高出10-100倍，使含有薄膜组成的气态物质发生化学反应，从而实现薄膜材料生长的一种新的制备技术。通过反应气态放电，有效地利用了非平衡等离子体的反应特征，从根本上改变了反应体系的能量供给方式,低温热等离子体化学气相沉积法具有气相法的所有优点，工艺流程简单。

流化床—粉体碳纳米管生长设备通过流量计和静态混气室把气体均匀混拌，通过上通气，气体通过双层管（夹层管预热气体，内腔体生长碳纳米管）确保通入的气体进入生长腔体内温度一直，通过多空陶瓷网的结构设计，从而解决均匀进气的问题。使的生长腔体热场流场稳定，确保得到高质量重复性好的碳纳米管。